特許
J-GLOBAL ID：200903002838631256
磁気センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123827
公開番号（公開出願番号）：特開平6-148301
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【目的】 本発明は磁気センサに関し、バイアス磁界発生用磁石からの磁界方向と、磁気抵抗素子のバイアス磁界方向とを精度良く一致させ、正負の磁界方向に対する出力の対称性が良好な磁気センサを実現することを目的とする。【構成】 硬質磁性膜よりなるバイアス磁界発生部と強磁性薄膜磁気抵抗素子とが同一チップ上に形成されて成る磁気センサにおいて、上記バイアス磁界発生部は2個の薄膜磁石2,3を異極を対向させ、且つ間隔をあけて配置し、強磁性薄膜抵抗素子1は、前記2個の薄膜磁石2,3の作る磁界の中心付近に配置するように構成する。
請求項（抜粋）：
硬質磁性膜よりなるバイアス磁界発生部と強磁性薄膜磁気抵抗素子とが同一チップ上に形成されて成る磁気センサにおいて、上記バイアス磁界発生部は、2個の薄膜磁石(2,3)を異極を対向させ、且つ間隔をあけて配置し、強磁性薄膜磁気抵抗素子(1)は、前記2個の薄膜磁石(2,3)の作る磁界の中心付近に配置したことを特徴とする磁気センサ。
IPC (2件)：
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