特許
J-GLOBAL ID：200903002841570322
熱電変換素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-191537
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022530
出願日： 1996年07月01日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 P型半導体とN型半導体とをPN接合した構成からなる熱電変換素子において、高い熱起電力と電流値を発生させることが可能なPN接合の接合部材と接合構造を有した熱電変換素子の提供。【解決手段】 PN接合部を半導体との接合性に優れかつ酸化され難く、高い電気伝導度を示す貴金属からなる金属膜を介在させて形成することにより、大気中での加熱でも酸化され難いことから、貴金属と半導体との間の界面構造も安定化して熱起電力と電流値が安定して発電能力(変換効率)を向上させることが可能。
請求項（抜粋）：
P型半導体とN型半導体とをその一端側でPN接合を形成する熱電変換素子において、前記一対の半導体間を貴金属(Ag,Au)のいずれか1種の金属で接合させた熱電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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