マイクロ針およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：三好秀和
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-520813
公開番号（公開出願番号）：特表2004-538106
出願日： 2002年08月14日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

本発明に従うマイクロ針は支持部材から延在する。針は、針本体部と、閉じた尖端部と、前記支持部材から前記突出針へと延在する内腔と、を含む。針本体部は、前記内腔と連通する少なくとも1つの側方開口部を有する。針を製造する方法は、エッチング可能なウェハの前側にマスクを、前記マスクの垂直投影が裏側に形成された穴の範囲を少なくとも部分的に覆うように設けることを含む。前記マスクの下を等方的にアンダーエッチングしてウェハ材料を除去する。異方性エッチングにより突出構造物を形成する。第2の等方性エッチングを前記突出構造物に選択的に施して止り穴を形成する。選択的に行われる最終異方性エッチングが、側方開口部を形成せずに針を延長する。穴の位置および寸法に対するマスクの位置および範囲は、前記側方開口部が前記異方性エッチングまたは前記第2の等方性エッチング中に形成されるための位置および範囲である。

請求項（抜粋）：

支持体から突出するマイクロ針の製造方法であって、前記針が、本体部と、閉じた尖端部と、前記支持体を通って前記突出針に延在する内腔と、を含み、前記本体部が、前記内腔と連通する側方開口部を有し、前記方法が、エッチング可能な材料から構成され、かつ前側および後側を有するウェハを設けるステップと、前記ウェハに止り穴をウェハの後側からつくるステップと、ウェハの前側にマスクを、前記マスクの垂直投影が少なくとも部分的に前記穴の範囲を覆うように設けるステップと、第1の等方性エッチングを前記マスク下に施してウェハ材料を除去するステップと、異方性エッチングをウェハに施して突出構造物を形成するステップと、第2の等方性エッチングを前記突出構造物に選択的に施して止り穴を露出させるステップと、を含み、穴の位置および寸法に対するマスクの位置および範囲が、前記異方性エッチングまたは前記第2等方性エッチング中に前記側方開口部が形成される位置および範囲である方法。

IPC (3件)：

A61M37/00 , A61B17/20 , A61M5/32

FI (3件)：

A61M37/00 , A61B17/20 , A61M5/32

Fターム (11件)：

4C060MM01 , 4C066AA10 , 4C066BB01 , 4C066CC01 , 4C066FF03 , 4C066KK01 , 4C066PP01 , 4C167AA71 , 4C167CC01 , 4C167FF10 , 4C167GG26

引用特許：

審査官引用 (4件)

針形状物の作製方法および作製された針
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-272924 出願人：テルモ株式会社
経角質薬物放出システム
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-506273 出願人：ベーリンガーインゲルハイムコマンディトゲゼルシャフト
半導体基板内に垂直な中空針を形成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-549726 出願人：ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア

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