特許
J-GLOBAL ID：200903002847698657
成膜方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-370935
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189274
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 ウェハ2表面のトレンチ底部まで均一な成膜を行う成膜方法の提供を目的とする。【解決手段】 反応容器1外部に配置されるウェハ2を、ロボットアームにより反応容器1内のチャック3上にチャックさせる工程と、ウェハ2を所定温度の成膜温度に加熱し保持する工程と、SiH4とAsH3とを、所定流量、所定時間で、反応容器1内へ供給し成膜を行う工程と、AsH3のみを、所定流量、所定時間で、反応容器1内へ供給しドーピングを行う工程と、所定時間経過後、原料ガス、または添加ガスの供給を停止する工程と、処理済のウェハ2をロボットアームにより反応容器1内から反応容器1外へ移動させる工程とからなり、ウェハ1表面のトレンチ底部まで均一な膜厚の成膜を行うことができる。
請求項（抜粋）：
内部に被成膜体が載置可能な反応容器に、前記被成膜体上に第1の反応生成物を形成する第1の気体と、前記第1の気体の付着確率に比べて付着確率が大きく、かつ前記第1の反応生成物の前記被成膜体への付着を抑制する第2の反応生成物を分解形成する第2の気体とを供給して、前記被成膜体上に所望の成膜を行う成膜方法において、前記第1の気体および前記第2の気体を前記反応容器に供給し、前記被成膜体上に所望の成膜を行う成膜工程中に少なくとも1回、前記第2の気体のみ、または前記第2の気体を前記成膜工程のガス比率より多く前記反応容器に供給する工程を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
4K030AA05
, 4K030AA06
, 4K030AA20
, 4K030BA29
, 4K030BB04
, 4K030CA11
, 4K030EA03
, 4K030JA06
, 4K030JA11
, 4K030LA15
, 5F045AB03
, 5F045AC01
, 5F045AC19
, 5F045AD11
, 5F045AF11
, 5F045BB01
, 5F045BB04
, 5F045EE12
, 5F045EE15
, 5F045EE17
, 5F045EN04
