特許
J-GLOBAL ID：200903002856052484
過電圧保護回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-169768
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021714
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】内部インピーダンスの高い半導体集積回路に適用して好適な過電圧保護回路を実現することを目的としている。【構成】過電圧保護の対象となる回路とその入力部との間の第1の端子、動作中は常に最低電位となる第2の端子、及び動作中は常に最高電位となる第3の端子を有する任意の回路と、前記第1の端子にエミッタ電極を接続するとともに、前記第2の端子にコレクタ電極を接続し、かつ前記第3の端子にベース電極を接続するPNP型バイポーラトランジスタと、を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
過電圧保護の対象となる回路とその入力部との間の第1の端子、動作中は常に最低電位となる第2の端子、及び動作中は常に最高電位となる第3の端子を有する任意の回路と、前記第1の端子にエミッタ電極を接続するとともに、前記第2の端子にコレクタ電極を接続し、かつ前記第3の端子にベース電極を接続するPNP型バイポーラトランジスタと、を含むことを特徴とする過電圧保護回路。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/331
, H01L 29/73
