特許

J-GLOBAL ID：200903002856868506

超伝導デバイスおよびその製造方法

発明者： 中西 輝 ,  赤瀬川 章彦 ,  山中 一典 ,  甲斐 学
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-216091
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041723
出願日： 2004年07月23日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。【解決手段】 超伝導デバイスは、デバイス基板(11)と、前記デバイス基板上に超伝導材料で形成された超伝導パターン(12)と、前記超伝導パターンを覆って、前記デバイス基板に均一に密着する誘電体粉末固定層(19)とを備える。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

デバイス基板と、 前記デバイス基板上に超伝導材料で形成された超伝導パターンと、 前記超伝導パターンを覆って、前記デバイス基板に均一に密着する誘電体粉末固定層と を備えることを特徴とする超伝導デバイス。

IPC (3件)：

H01P 1/203 ,  H01L 39/00 ,  H01P 11/00

FI (3件)：

H01P1/203 ,  H01L39/00 Z ,  H01P11/00 K

Fターム (16件)：

4M113AC44 ,  4M113AD37 ,  4M113AD63 ,  4M113AD67 ,  4M113AD68 ,  4M113BA04 ,  4M113CA31 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  5J006HB04 ,  5J006HB05 ,  5J006HB15 ,  5J006LA01 ,  5J006LA27 ,  5J006PA01 ,  5J006PA09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高周波デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-333071   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 特開平4-373202
  
• 積層部品の導体膜パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-354347   出願人：富士電気化学株式会社
• ストリップライン共振器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-277752   出願人：住友特殊金属株式会社
• 誘電体共振器と誘電体フィルタ、それらの製造方法、並びにそれらを送受アンテナに共用したフィルタ装置と通信機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-177341   出願人：松下電器産業株式会社