ウエハエッジ堆積の排除

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318854
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214798
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ペデスタルに支持されているウエハのエッジ堆積を実質的に排除する方法及び装置を提供する。【解決手段】ウエハ面を流れるプロセスガスのウエハエッジ及び裏面への到達をシャドーリングで防止する。シャドーリングはパージガスが流れ込むウエハエッジを囲む空洞を画成している。パージガスは空洞からシャドーリングとウエハの上面との間のギャップを通して流れ出す。傾斜面を有した整列ピンがペデスタルのウエハ支持面にウエハをペデスタルの中央位置に案内するために配置されている。これらのピンはシャドーリングをウエハに関して整列する。シャドーリングは複数の合せ型を有し、ピンと合わさるとシャドーリングとペデスタルは一体化し、ピンがシャドーリングを整列し、実質的にエッジ堆積が排除される。凹みの断面は楕円形であり、熱膨張によるピンの半径方向の移動を可能にしている。

請求項（抜粋）：

プロセス流体が、処理チャンバ内で基板支持体に支持されている基板の一部分と接触することを抑制する方法であって、(a)アライナを用いて前記基板を前記基板支持体と整列するステップと、(b)プロセス流体の、前記基板の一部分に対する実質的に垂直な方向の流れを遮るためのマスクを提供するステップと、(c)前記アライナを用いて、前記マスクを前記基板支持体に対して整列するステップと、(d)パージ流体を前記基板のマスクされた部分と前記マスクとの間に流すステップと、を備える方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 , C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/44 D , H01L 21/205

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