特許

J-GLOBAL ID：200903002864422789

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  大澤 洋一 ,  橘 誠一郎
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-271429
公開番号（公開出願番号）：特開2009-098509
出願日： 2007年10月18日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、下記一般式(1)で示される高分子材料とを含有することを特徴とするレジスト材料。【効果】レジスト膜と液浸露光用のレジスト保護膜とのミキシングを防止することによりパターン形状の劣化を防止する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、下記一般式(1)で示される高分子材料とを含有することを特徴とするレジスト材料。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/38

FI (6件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/38

Fターム (41件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA02 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA29S ,  4J100BA56P ,  4J100BA59R ,  4J100BB07R ,  4J100BB12P ,  4J100BB12R ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58Q ,  4J100BC69S ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-132081   出願人：東京応化工業株式会社