特許
J-GLOBAL ID：200903002867175820
パタン形成方法及び半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314792
公開番号（公開出願番号）：特開平11-149159
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】ArFエキシマレーザの波長193nmを含む遠紫外線領域において透明で、かつドライエッチング耐性が高く、水性アルカリ現像特性が良好でかつ高解像度,高安定性のカルボン酸系パタン形成材料およびそれを使用したパタン形成方法を提供する。【解決手段】カルボン酸を側鎖に含むアルカリ可溶性樹脂及び活性化学線照射により酸を生じる化合物及び酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶解性を減少または増加させる反応性を有する化合物とイオン解離性の化合物を含むパタン形成材料を用いる。
請求項（抜粋）：
カルボン酸を側鎖に含む水性アルカリ可溶性樹脂と、活性化学線照射により酸を生じる化合物と、酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対し当該塗膜の溶解性を減少または増加させる反応性を有する化合物と、一般式(1)で示されるイオン解離性の化合物または一般式(2)で示されるイオン解離性の化合物を少なくとも含むことを特徴とするパタン形成材料からなる塗膜を、所定の基板上に形成する工程と、当該塗膜に活性放射線を照射して所定のパタン潜像を形成する工程と、アルカリ水溶液で現像して当該塗膜に所定のネガ型パタンを形成する工程からなるパタン形成方法。【化1】(式中、R1,R2,R3、及びR4は水素,炭素数1〜7のアルキル基またはアリール基で、Y1は塩素,臭素,ヨウ素,水酸基,炭素数1〜7のカルボナート基または炭素数1〜7のスルホナート基を表す)【化2】(式中、R5,R6、及びR7は水素,炭素数1〜7のアルキル基またはアリール基で、Y2は塩素,臭素,ヨウ素,水酸基,炭素数1〜7のカルボナート基を表す)
IPC (4件)：
G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, G03F 7/32 501
, H01L 21/027
G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, G03F 7/32 501
, H01L 21/30 502 R
