特許

J-GLOBAL ID：200903002869319633

遷移金属酸化物光伝導デバイス

発明者： 廣井 善二 ,  村岡 祐治 ,  山内 徹 ,  上田 寛
出願人/特許権者： 廣井 善二 ,  村岡 祐治 ,  山内 徹
代理人 (1件)： 小山 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-332735
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172164
出願日： 2002年11月15日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】遷移金属酸化物の電気伝導性を光を用いて制御した光デバイスを提供する。【解決手段】光照射を行うことによってn型のチタンを含む酸化物基板内に生成したホールが遷移金属酸化物薄膜に流れ込むことによって遷移金属酸化物のホール濃度が変化し、その電気伝導性が大きく変わる。照射する光の強度をコントロールすることによりホール濃度を自由に変化させることが可能になる。この方法を光キャリア注入法(Photocarrier injection method:PCI法)と呼ぶ。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

n型半導体特性を有する各種のチタンを含む酸化物上に、光を照射することによって電気伝導性が制御される遷移金属酸化物薄膜が形成されていることを特徴とする遷移金属酸化物光伝導デバイス。

IPC (1件)：

H01L31/0264

FI (1件)：

H01L31/08 M

Fターム (9件)：

5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088BB06 ,  5F088CB05 ,  5F088DA05 ,  5F088FA09 ,  5F088GA03 ,  5F088LA03 ,  5F088LA05