特許

J-GLOBAL ID：200903002869948975

電場発光デバイス

発明者： 岸本 良雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325736
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162640
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 新たな原理の素子を構成することにより、電界強度がより低く発光輝度が優れる新規な電場発光デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】 封止された容器1内の、透明基板2上に形成した正孔注入用透明陽極3上に、正孔輸送性の緻密な透明固体薄膜4を形成し、次いで蛍光発光性の電子受容性分子を少なくとも表面に含有してなる空隙を有する多孔質な発光層5を形成し、さらにその上に薄膜冷陰極6を形成して、直流電界下で薄膜冷陰極6からの電子放射による放電を介して蛍光発光性の電子受容性分子を励起、発光させてなる電場発光デバイスより構成され、電界強度がより低く発光輝度が優れる新規な電場発光デバイスが得られる。この電場発光デバイスには、レーザー光を発光する各種構造のデバイスも含まれる。

請求項（抜粋）：

封止された容器内の、正孔注入用透明陽極と薄膜冷陰極よりなる一対の電極間に、蛍光性有機分子を有し直流電界で発光する電場発光デバイスであって、透明基板上に形成した前記正孔注入用透明陽極上に、正孔輸送性の緻密な透明固体薄膜が形成され、さらに蛍光発光性の電子受容性分子を少なくとも表面に含有してなる空隙を有する多孔質な発光層が形成され、さらにその上に前記薄膜冷陰極が形成され、前記直流電界下で前記薄膜冷陰極からの電子放射による放電を介して前記蛍光発光性の電子受容性分子を励起、発光させてなることを特徴とする電場発光デバイス。

IPC (5件)：

H05B 33/14 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22 ,  C09K 11/06 660

FI (5件)：

H05B 33/14 A ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22 C ,  C09K 11/06 660