特許
J-GLOBAL ID：200903002876333846
多層フォトレジストエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-028815
公開番号（公開出願番号）：特開平7-092688
出願日： 1991年02月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 多層フォトレジストを用いて半導体ウエハのでこぼこな表面上にエッチマスクを正確に形成する方法であって、単一中間層を用い、上部フォトレジスト層の除去前に該単一中間層中にマスクパターンを部分的にエッチングすること又は2層の中間層を用いかつ下部中間層をエッチストップとして用いて上部フォトレジストパターンを上部中間層中に貫通して再現させた後に上部フォトレジストを除去する方法。【効果】 上部フォトレジスト中に形成されたマスク開口のコーナーのファセッティングがなくなり、開口側壁の弓状化が起こらない。又、フォトレジスト負荷が変化しない。
請求項（抜粋）：
上部フォトレジスト層中にフォトリトグラフィーで形成されたマスクパターンを下部フォトレジスト層中に正確に再現することができる、多層フォトレジストを用いて半導体ウエハのでこぼこな表面上にエッチマスクを形成するための方法であって、(a) 半導体ウエハの表面上に第1フォトレジスト層を形成する工程、(b) 該第1フォトレジスト層上に1層以上の中間層を形成する工程、(c) 該ウエハ上の該1層以上の中間層上に第2フォトレジスト層を形成する工程、(d) 該第2フォトレジスト層中にフォトリトグラフィーでパターンを形成する工程、(e) 該第2フォトレジスト層の下の該1層以上の中間層中に該パターンを再現する工程、(f) 該上部フォトレジストの残部を除去する工程、及び(g) 該1層以上の中間層中に形成された該パターンをマスクとして用いて第1フォトレジスト層中に該パターンを再現する工程を含み、それによって該第2フォトレジスト層中にフォトリトグラフィーで形成されたマスクパターンを正確に該第1フォトレジスト層中に再現することができる方法。
IPC (5件)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/11
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
H01L 21/30 573
, H01L 21/302 H
