半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-095523
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291568
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】薄膜の酸化膜103の上に作られる配線層105を形成する際に、その形成時に、配線層107と基盤あるいはウェル領域100,101とを接続させ、その部分にダイオ-ドを形成する。また、さらに上層の第2の配線層107に関しては、その形成時に、第2の配線層107と基盤あるいはウェル領域100,101、あるいは第2の配線層107と前記配線層105とを接続して、ダイオ-ドを形成する。【効果】薄膜の上に形成された配線層に蓄積される電荷によって、薄膜が破壊されるのを防ぐ。

請求項（抜粋）：

少なくとも、ゲートが第一導電型のゲート電極からなる第一導電型チャネルの絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置において、前記第一導電型のゲート電極を形成する工程において、前記第一導電型のゲート電極が逆導電型の半導体基板、あるいは逆導電型のウェル領域に直接接続される領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 21/90 , H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/265 N , H01L 27/06 311 B

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-078230
特開平4-056276
特開昭59-004070

全件表示

前のページに戻る