特許

J-GLOBAL ID：200903002883264795

半導体結晶層の製造方法

発明者： 鈴木 正國 ,  北川 章夫 ,  竹内 雅樹 ,  二木 貞樹 ,  金井 俊吾 ,  坪田 和憲 ,  柿本 芳雄
出願人/特許権者： 鈴木 正國 ,  株式会社村田製作所 ,  日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-320734
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069127
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 大粒径の多結晶で、配向も良好な半導体結晶層を、高速かつ大面積で簡易にできる半導体結晶層の製造方法を提供する。【構成】 絶縁体層の上に非晶質半導体層を形成し、この非晶質半導体層を、高温度勾配を有する温度条件になるように火焔により加熱することでアニールし、かつこのアニール領域を相対的に移動させることにより絶縁体層上に多結晶半導体を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁体層の上に非晶質半導体層を形成し、この非晶質半導体層を、高温度勾配を有する温度条件になるように火焔により加熱することでアニールし、かつこのアニール領域を相対的に移動させることにより、上記絶縁体層上に多結晶半導体を形成する半導体結晶層の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭56-137643