半導体試験装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278084
公開番号（公開出願番号）：特開2002-090421
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：

【要約】【課題】従来技術よりも高い自由度が得られ、非同期の信号を用いるDUTにも容易に対処することができる経済的な半導体試験装置を提供する。【解決手段】被測定デバイスに対して必要なテストパターンを出力し該テストパターンによる該被測定デバイスからの応答出力をレファレンス電圧と比較して判定する判定機能を備えた複数のパーピン型ピンエレクトニクスのおのおののに、個別の基準信号を発生する基準信号発生器と該個別の基準信号に基づき前記テストパターンを個別に発生するパターン発生器が個別に搭載されて各ピンエレクトロニクスが独立の異なるタイミングで異なるパターン発生のシーケンスを実行し得る独立型ピンエレクトロニクス群となるように構成されている。

請求項（抜粋）：

被測定デバイスに対して必要なテストパターンを出力し該テストパターンによる該被測定デバイスからの応答出力をレファレンス電圧と比較して判定する判定機能を備えた複数のパーピン型ピンエレクトニクスのおのおののに、個別の基準信号を発生する基準信号発生器と該個別の基準信号に基づき前記テストパターンを個別に発生するパターン発生器が個別に搭載されて各ピンエレクトロニクスが独立の異なるタイミングで異なるパターン発生のシーケンスを実行し得る独立型ピンエレクトロニクス群となるように構成された半導体試験装置。

FI (2件)：

G01R 31/28 H , G01R 31/28 G

Fターム (9件)：

2G032AA01 , 2G032AB01 , 2G032AC10 , 2G032AE08 , 2G032AE10 , 2G032AE11 , 2G032AF10 , 2G032AG01 , 2G032AL00

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