特許

J-GLOBAL ID：200903002885279757

膜密着力測定方法、膜密着力測定装置、及び電子装置

発明者： 滝本 嘉夫
出願人/特許権者： 次世代半導体材料技術研究組合
代理人 (1件)： 宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-101956
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286750
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】 半導体素子における多層絶縁膜の密着具合に関する正確な情報を得ることが出来る技術を提供することである。【解決手段】 積層膜における膜の密着力を測定する方法であって、 前記積層膜における所定の膜Xを間に挟んで互いに略平行に設けられた導体M1,M2に、各々、電流を流して前記導体間の膜Xに斥力を作用させる斥力作用工程と、 前記積層膜の積層方向に沿って設けられた導体M0に電流を流して抵抗値を測定する膜密着力測定工程とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

積層膜における膜の密着力を測定する方法であって、 前記積層膜における所定の膜Xを間に挟んで互いに略平行に設けられた導体M1,M2に、各々、電流を流して前記導体間の膜Xに斥力を作用させる斥力作用工程と、 前記積層膜の積層方向に沿って設けられた導体M0に電流を流して抵抗値を測定する膜密着力測定工程 とを有することを特徴とする膜密着力測定方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (1件)：

H01L21/66 Y

Fターム (11件)：

4M106AA07 ,  4M106AA12 ,  4M106AB12 ,  4M106AB15 ,  4M106AB17 ,  4M106BA14 ,  4M106CA10 ,  4M106CA15 ,  4M106CA70 ,  4M106DH09 ,  4M106DJ27