特許

J-GLOBAL ID：200903002888568814

アクティブマトリクス基板

発明者： 早瀬 貴介
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-249905
公開番号（公開出願番号）：特開2000-081633
出願日： 1998年09月03日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】 アクテティブマトリックス基板の配線、あるいは電極端子部の接続信頼性を高める。【解決手段】 ガラス基板11上にゲートバス配線18とドレインバス配線19とがマトリクス状に配線し、その各交差位置にそれぞれ薄膜トランジスタ(以降TFTと略す)23を設する。TFT23は、ゲート電極12がゲートバス配線18に接続され、ドレイン電極17がドレインバス配線19に接続され、ソース電極16が画素電極22に接続されている。ゲート電極12とゲートバス配線18及びソース、ドレイン電極16、17とドレインバス配線19とは、上下2層構造となっており、いずれも上層は、Taを概ね90%以上含有するMo-Ta合金膜33,43であり、下層は、純Mo膜32,42である。Mo-Ta合金膜のTa含有率を少なくとも90原子%以上とすることにより、腐食耐性が向上し、積層配線に、純Ta膜と、純Mo膜との積層構造を用いたものとほぼ同等となり、製品として十分な接続信頼性が得られる。

請求項（抜粋）：

電極、配線に上下2層の積層を有するアクティブマトリクス基板であって、2層の積層は、純Mo膜と、Mo-Ta合金膜との組合せであり、Mo-Ta合金膜中のTaの含有率は、少なくとも90原子%以上であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (5件)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 612 C

Fターム (43件)：

2H092GA17 ,  2H092GA34 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA45 ,  2H092KA06 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA19 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  5C094AA04 ,  5C094AA05 ,  5C094AA14 ,  5C094AA31 ,  5C094AA32 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5C094JA01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033MM05 ,  5F033VV06 ,  5F033XX08 ,  5F033XX18