半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094973
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294523
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】アブレーションによる十分に精密なパターンの形成が可能である半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウェハ表面に第1の波長の光を照射する光源と、前記第1の波長の光の少なくとも一部を透過させるマスクとを有し、前記ウェハの前記第1の波長の光が照射される部分の材料をガス化して除去する半導体製造装置であって、前記光源は、電子ビームを発生する電子ビーム発生手段と、前記第1の波長よりも長波長である第2の波長の光を発生する光発生手段とを有し、前記第1の波長の光は、前記電子ビーム中の電子と前記第2の波長の光のフォトンとの衝突により、前記電子のエネルギーが前記フォトンに与えられた逆コンプトン散乱光である半導体製造装置、およびこれを用いた半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

ウェハ表面に第1の波長の光を照射する光源と、前記第1の波長の光の少なくとも一部を透過させるマスクとを有し、前記ウェハの前記第1の波長の光が照射される部分の材料をガス化して除去する半導体製造装置であって、前記光源は、電子ビームを発生する電子ビーム発生手段と、前記第1の波長よりも長波長である第2の波長の光を発生する光発生手段とを有し、前記第1の波長の光は、前記電子ビーム中の電子と前記第2の波長の光のフォトンとの衝突により、前記電子のエネルギーが前記フォトンに与えられた逆コンプトン散乱光である半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 Z , H01L 21/30 502 D

Fターム (15件)：

5F004BA20 , 5F004BB01 , 5F004BB02 , 5F004BB04 , 5F004BB31 , 5F004DB03 , 5F004DB23 , 5F004EA00 , 5F004EA38 , 5F046AA01 , 5F046AA28 , 5F046CA03 , 5F046GC03 , 5F046GC04 , 5F046GC05

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