特許
J-GLOBAL ID：200903002897853912
ダイヤモンド状薄膜の合成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109661
公開番号（公開出願番号）：特開平7-316815
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月05日
要約：
【要約】【目的】 残留応力が小さく硬質なダイヤモンド状薄膜を高付着力で形成する。【構成】 真空槽5中のフィラメント6を加熱し、このフィラメント6より放出させた熱電子を正電位が印加されたメッシュ状電極7で加速する。原料ガスは、この熱電子によりプラズマ化され、このプラズマは、バイアス電源9により負電位が印加された基材8に加速衝突し基材8上にダイヤモンド状膜が堆積される。【効果】 原料ガスには、トルエン等のベンゼン環にアルキル基が結合したアルキルベンゼンを用いることで、残留応力が小さく高硬度のダイヤモンド状薄膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
ベンゼン環に少なくとも一つ以上のアルキル基が結合したアルキルベンゼンを原料とし、これをプラズマ化してプラズマ中のイオンやラジカルを利用してダイヤモンド状薄膜を形成するダイヤモンド状薄膜の合成方法。
IPC (5件)：
C23C 16/26
, C01B 31/06
, C23C 16/02
, C23C 16/50
, C23F 4/00
