特許
J-GLOBAL ID：200903002900479822
II-VI族化合物半導体の成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326440
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148342
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 低結晶欠陥密度で良質のII-VI族化合物半導体を低コストで成長させる。【解決手段】 分子線エピタキシー法によりII-VI族化合物半導体をIII-V族化合物半導体基板11上に成長させる際に、基板温度300〜550°CにおいてIII-V族化合物半導体基板11の表面に原子状または活性水素を照射することにより、または、大気圧ないし1.33Paの圧力の水素ガス雰囲気中において基板温度を580°C以下に保つことにより表面の酸化膜12を除去した後、速やかにその表面にII-VI族化合物半導体層13を成長させる。基板としてII-VI族化合物半導体基板を用いる場合には、基板温度450°C以下においてII-VI族化合物半導体基板の表面に原子状または活性水素を照射することにより酸化膜12を除去する。
請求項（抜粋）：
Zn、Mg、Cd、HgおよびBeからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のII族元素とSe、SおよびTeからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のVI族元素とからなるII-VI族化合物半導体を真空を用いた気相成長法によりIII-V族化合物半導体基板上に成長させるようにしたII-VI族化合物半導体の成長方法において、成長直前に基板温度300°Cないし550°Cにおいて上記III-V族化合物半導体基板の表面に原子状または活性水素を照射することにより上記III-V族化合物半導体基板の表面の酸化膜を除去した後、上記III-V族化合物半導体基板上に上記II-VI族化合物半導体を成長させるようにしたことを特徴とするII-VI族化合物半導体の成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/363
, H01L 21/203
, H01L 33/00
, H01S 3/18
, H05H 1/46
H01L 21/363
, H01L 21/203 M
, H01L 33/00 D
, H01S 3/18
, H05H 1/46 C
