特許

J-GLOBAL ID：200903002901058839

多層ガラスセラミック基板とその製造方法

発明者： 生稲 一洋 ,  木村 光
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094718
公開番号（公開出願番号）：特開平6-305770
出願日： 1993年04月22日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：

【要約】【目的】 1000°C以下の低温で、しかも酸化性ばかりでなく中性および還元雰囲気で焼成でき、誘電率の低い機械的強度の優れた多層ガラスセラミック基板およびその製造方法を提供する。【構成】 ガラスセラミック基板が、アルミナ、ホウケイ酸径ガラス、アノーサイト結晶およびセルシアン結晶からなる無機組成物であって、アルミナ12〜59.6重量%、ホウケイ酸径ガラス18〜69.6重量%、アノーサイト結晶1〜40重量%、セルシアン結晶1〜5重量%の組成範囲で総量100%になるように構成され、複数の導体層を上記ガラスセラミック層を介して積層されている。

請求項（抜粋）：

ガラスセラミック層が、アルミナ,ホウケイ酸系ガラス,アノーサイト結晶およびセルシアン結晶からなる無機組成物であって、アルミナ12〜59.6重量%、ホウケイ酸系ガラス18〜69.6重量%、アノーサイト結晶1〜40重量%、セルシアン結晶1〜5重量%の組成範囲で総量100%になるように構成され、複数の導体層を上記ガラスセラミック層を介して積層したことを特徴とする多層ガラスセラミック基板。

IPC (11件)：

C03C 3/091 ,  B28B 11/02 ,  C03C 3/093 ,  C03C 4/00 ,  C03C 10/04 ,  C03C 17/06 ,  C03C 27/06 ,  C04B 35/16 ,  C04B 37/00 ,  C04B 41/88 ,  H05K 3/46