特許

J-GLOBAL ID：200903002903485297

結晶性SiC薄膜の製造方法

発明者： 宮里 達郎 ,  八野 耕明 ,  綾部 時宏
出願人/特許権者： 株式会社大熊エンジニアリング ,  株式会社プラズマシステム
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058690
公開番号（公開出願番号）：特開平11-256325
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】【課題】 水素プラズマ中のスパッタによりSi基板上に立方晶SiCの薄膜を形成するにあたって、Si基板を有効に加熱することにより結晶性の良い結晶性SiC薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 スパッタ装置のチェンバー1内においてSi基板3を保持、加熱するヒータープレート6とSi基板3との間の空間に水素ガスを導入する。この際、ヒータープレート6とSi基板3との間の空間領域の圧力がチェンバー1内における反応領域の圧力よりも高くなるように設定し、水素ガスが上記空間内で流れを持つようにする。

請求項（抜粋）：

スパッタ装置のチェンバー内に発生させた水素プラズマ中のスパッタによりSi基板上に結晶性SiC薄膜を形成するに際して、前記チェンバー内において前記Si基板を保持して加熱する加熱板と前記Si基板との間に、水素ガスまたは不活性ガスを介在させたことを特徴とする結晶性SiC薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

C23C 14/34 K ,  C23C 14/34 M ,  C23C 14/06 B ,  H01L 21/203 S