特許

J-GLOBAL ID：200903002904173965

微細な線幅と高縦横比を有する領域に絶縁膜を埋込む方法

発明者： 金 注 完 ,  林 榮 振 ,  洪 鎭 基 ,  李 柱 範 ,  金 衡 洙
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-231826
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176936
出願日： 1998年08月18日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 多段階で微細な線幅と高縦横比を有する領域に絶縁膜を埋込む半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 最初段階で多段階で微細な線幅と高縦横比を有する領域に第1絶縁膜を埋込み、中間段階で第1絶縁膜の全面を蝕刻し、最終段階で第1絶縁膜上に多段階で微細な線幅と高縦横比を有する領域を完全に埋込む第2絶縁膜を形成する。第1絶縁膜を埋込む過程で第1絶縁膜にボイドが生じないこともあるが、中間段階をたどりながらボイドは取り除かれ、第1絶縁膜の表面は第2絶縁膜を形成することが適合した状態になる。結果的に、微細な線幅と高縦横比を有する領域にボイドが生じることなく絶縁膜を埋込むことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に所定の線幅と縦横比を有する導電性ラインを備えて前記導電性ラインの間を絶縁膜で埋込む半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜は多段階で埋込まれることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 M