フォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132330
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319346
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：

【要約】【課題】解像度に優れ、高耐熱性・高感度を両立するフォトレジスト用フェノール樹脂を提供すること。【解決手段】 3官能性以上のフェノール類(P1)及びアルデヒド類(A)を塩基性触媒の存在下、pH7〜12で反応(一次反応)させて得たレゾール樹脂に、フェノール類(P2)と酸触媒を添加してpH1〜6に調整し、さらに反応(二次反応)させて得られるノボラック型フェノール樹脂で、GPC測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量が、一次反応終了時が100〜5000で二次反応終了時が1500〜20000であることを特徴とするフォトレジスト用ノボラック型フェノール樹脂の製造方法。

請求項（抜粋）：

3官能性以上のフェノール類(P1)及びアルデヒド類(A)を塩基性触媒の存在下、pH7〜12で反応(一次反応)させて得たレゾール樹脂に、フェノール類(P2)と酸触媒を添加してpH0.1〜6に調整し、さらに反応(二次反応)させて得られるノボラック型フェノール樹脂で、GPC測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量が、一次反応終了時が100〜5000で二次反応終了時が1500〜20000であることを特徴とするフォトレジスト用ノボラック型フェノール樹脂の製造方法。

IPC (3件)：

C08G 8/24 , C08G 8/00 , G03F 7/032

FI (3件)：

C08G 8/24 , C08G 8/00 B , G03F 7/032

Fターム (29件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA10 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AD03 , 2H025BE01 , 2H025BJ10 , 2H025CB28 , 2H025CB55 , 2H025EA10 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA17 , 4J033CA02 , 4J033CA03 , 4J033CA11 , 4J033CA12 , 4J033CA29 , 4J033CB01 , 4J033CB04 , 4J033CB25 , 4J033CC07 , 4J033CC09 , 4J033CC14 , 4J033HA12 , 4J033HA13 , 4J033HB10

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭57-172337
特開平1-095118
高度にオルソ-オルソ結合したノボラックバインダー樹脂および放射線感受性組成物中のその利用
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-094115 出願人：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド

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