特許

J-GLOBAL ID：200903002907547580

半導体装置,半導体装置の製造方法,薄膜トランジスタ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置

発明者： 中西 史朗 ,  阿部 寿 ,  山路 敏文 ,  森本 佳宏 ,  長谷川 勲
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-125316
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088174
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】結晶粒径が均一な多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を短時間に形成する。【構成】透明絶縁基板1(石英ガラス,高耐熱ガラス)上に微結晶を含む非晶質シリコン膜2を形成する。次に、微結晶を含む非晶質シリコン膜2上に通常の非晶質シリコン膜3を形成する。続いて、600 °C程度でアニールすることにより、各非晶質シリコン膜2,3を固相成長させて多結晶シリコン膜4,5を形成する。このとき、非晶質シリコン膜2中の微結晶を種として結晶が成長する。そのため、非晶質シリコン膜2中に微結晶が均一に存在していれば、多結晶シリコン膜4,5の結晶粒径は基板1の全体にわたって均一になる。また、結晶成長の種が生じるまでに要する潜伏期間がなくなるため、固相成長の処理時間が短くなる。

請求項（抜粋）：

固相成長法によって形成された多結晶シリコン膜を備えた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336