特許

J-GLOBAL ID：200903002909704438

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

発明者： 陶山 英夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-163893
公開番号（公開出願番号）：特開平5-334630
出願日： 1992年05月30日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 信号磁界の漏洩を抑制し、再生出力が大きく取れる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。【構成】 磁気抵抗効果を有する強磁性体薄膜がヘッド修道面に対して略直行方向に延在されている磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドである。感磁部1のヘッド摺動面側に前端電極7を、前記感磁部1の後端側に後端電極8を接続し、センス電流の方向を信号磁界の方向と一致させている。後端電極8はセンス電流を流す電極の機能のみならず、感磁部1における見掛け上の磁気抵抗を下げるという機能を付与し、強磁性金属により構成される。

請求項１：

磁気抵抗効果を有する強磁性体薄膜がヘッド摺動面に対して略直交方向に延在されてなり、この強磁性体薄膜のヘッド摺動面側端部に前端電極が接続されるとともに、これとは反対側の端部に強磁性金属からなる後端電極が接続されていることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。