特許
J-GLOBAL ID：200903002910033105
結晶系薄膜の評価方法およびその装置、光電変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高橋 詔男
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-052951
公開番号（公開出願番号）：特開2004-265995
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】高精度かつ十分な情報を得ることができる結晶系薄膜の評価方法を提供する。さらには、高性能な光電変換装置を提供する。【解決手段】本発明の結晶系薄膜の評価方法は、透過型電子顕微鏡により結晶系薄膜の暗視野像を形成させ、その暗視野像のコントラストで結晶相とアモルファス相とを判別して結晶系薄膜の薄膜構造を評価する。本発明の光電変換装置(太陽電池1)は、p型半導体特性を有するp型発電膜6と、真性半導体特性を有するi型発電膜7と、n型半導体特性を有するn型発電膜8とからなるpin型構造発電膜(発電膜4)あるいはnip型構造発電膜を具備し、pin型構造発電膜あるいはnip型構造発電膜の少なくともi型発電膜は結晶系薄膜からなり、この結晶系薄膜は、上述した結晶系薄膜の評価方法で求めた結晶相の含有量が50〜70体積%にされている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透過型電子顕微鏡により結晶系薄膜の暗視野像を形成させ、その暗視野像のコントラストで結晶相とアモルファス相とを判別して結晶系薄膜の薄膜構造を評価することを特徴とする結晶系薄膜の評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 N
, H01L31/04 V
4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106BA02
, 4M106CB19
, 4M106DH33
, 4M106DH50
, 4M106DJ38
, 5F051AA04
, 5F051DA04
, 5F051FA04
, 5F051GA03
