磁気RAMおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-309450
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129957
出願日： 2004年10月25日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】浮遊磁場に起因するスイッチング磁場のシフトおよびキンクを防止できるため、高い信頼性を有する磁気RAMおよびその製造方法を提供する。【解決手段】スイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたMTJセルとを含む磁気RAMにおいて、前記MTJセルは、金属膜と、前記金属膜を取り囲む磁性膜とを備えるピンド膜を含む磁気RAM。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

スイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたMTJセルとを含む磁気RAMにおいて、前記MTJセルは、金属膜と、前記金属膜を取り囲む磁性膜とを備えるピンド膜を含むことを特徴とする磁気RAM。

IPC (2件)：

H01L27/105 , H01L43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z

Fターム (5件)：

5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA38 , 5F083PR05 , 5F083PR06

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-322041 出願人：株式会社東芝
メモリ素子、磁性薄膜メモリ、メモリ素子の記録方法および再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-271736 出願人：キヤノン株式会社
ニッケル系薄膜用エッチング液
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-217923 出願人：ザ・インクテック株式会社

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