特許
J-GLOBAL ID：200903002915834491
厚膜導体形成用組成物
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 勝成 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-110967
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302212
出願日： 1993年04月14日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 半田食われの発生の少ない導体膜を形成できる厚膜導体形成用組成物を提供する。【構成】 Au、Ag、Pd、Pt粉末の内の少なくとも1種100重量部に対して、CaOを3〜12重量%含有するPbO-B2O3-SiO2-CaO系ガラス粉末2〜10重量部と、Al2O3粉末1〜5重量部を含有する厚膜導体形成用組成物。
請求項（抜粋）：
Au、Ag、Pd、Pt粉末の内の少なくとも1種100重量部に対して、CaOを3〜12重量%含有するPbO-B2O3-SiO2-CaO系ガラス粉末2〜10重量部と、Al2O3粉末1〜5重量部を含有する厚膜導体形成用組成物。
IPC (2件)：
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