特許

J-GLOBAL ID：200903002923288846

半導体装置の製造方法

発明者： 宇佐美 光雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-360291
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183025
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 薄膜化されたウエハをダイシングしてICチップに分割すると、半導体層にダメージ層が生じて曲げ応力による割れは発生する。本発明は曲げ応力に強い薄膜半導体装置の製造方法を提供するものである。【解決手段】 薄膜化された半導体ウエハからの薄型ICチップ12の分離を異方性エッチング液を用いて行う。【効果】 薄型ICチップを構成する半導体層へのダメージが少ない薄型ICチップを製造できる。このようにして製造された薄型ICチップは曲げ応力に対する耐性が向上する。更に、このチップを用いることにより曲げ応力に強い薄膜半導体装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

半導体からなる支持基板と前記支持基板上に設けられた絶縁膜と前記絶縁膜上に設けられた半導体膜とを有し、前記半導体膜に複数の集積回路素子が形成された半導体基板を準備する工程と、前記集積回路素子上部に金属膜を固着する工程と、前記支持基板を除去する工程と、前記複数の集積回路素子を複数の薄型ICチップに分離するための溝パターンを前記絶縁膜に形成する工程と、前記溝パターンに基づき、薬液を用いて前記半導体膜をエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  B42D 15/10 521 ,  G06K 19/077

FI (3件)：

H01L 21/306 C ,  B42D 15/10 521 ,  G06K 19/00 K

Fターム (30件)：

2C005MA07 ,  2C005MA15 ,  2C005NA09 ,  2C005NA31 ,  2C005NA35 ,  2C005NA36 ,  2C005PA18 ,  2C005PA26 ,  2C005TA22 ,  5B035AA04 ,  5B035AA08 ,  5B035BA03 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035BB12 ,  5B035BC00 ,  5B035CA01 ,  5B035CA03 ,  5B035CA08 ,  5B035CA23 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043FF01 ,  5F043FF06 ,  5F043GG01 ,  5F043GG02 ,  5F043GG06 ,  5F043GG10