特許

J-GLOBAL ID：200903002925551170

半導体装置

発明者： 小川 敏夫 ,  高橋 正昭 ,  神村 典孝 ,  合田 正広 ,  江口 州志 ,  鈴木 和弘 ,  服部 元信 ,  羽根井 博幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103404
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298299
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【構成】パワー半導体素子を含む回路部を、熱膨張係数を特定した材質の樹脂系モールドで一体的に補強する。【効果】小型,高密度の半導体装置を低価格で提供することができる。

請求項（抜粋）：

金属基体表面の少なくとも一面が有機絶縁層によって、予め被覆された絶縁金属基板の前記有機絶縁層上に固着された能動素子及びもしくは受動素子と、それを電気的に接続する導体回路及び外部との入出力用端子とを有し、これら回路系が樹脂系モールドによって保護された構造のパワー半導体装置において、前記樹脂系モールドが一体的に構成され、前記モールドが実質的に単一の樹脂層からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/28 E ,  H01L 23/30 R ,  H01L 25/04 C