強誘電体薄膜メモリ素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-196262
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016234
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】高い残留分極値や小さい膜疲労を有する高性能な強誘電体キャパシタを実現し、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を提供する。【解決手段】強誘電体薄膜キャパシタをメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、キャパシタ中の強誘電体薄膜12の結晶粒子間(粒界)に誘電体である微結晶あるいは非晶質粒子を充填することにより、高い残留分極値や小さい膜疲労(大きい書き換え可能回数)を得ることを可能とし、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を実現する。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜コンデンサをメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、該コンデンサは少なくとも下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極の積層構造からなり、該強誘電体薄膜の膜厚方向を法線とした面内において、結晶粒子間(粒界)に誘電体である微結晶あるいは非晶質粒子あるいは両者混在した粒子が充填されていることを特徴とする半導体メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 444 C , H01L 27/10 651

Fターム (10件)：

5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083NA08 , 5F083PR22 , 5F083PR34

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