半導体レーザダイオードの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-323544
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027654
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】液相エピタキシの特性である液相エッチング現象を用いて高信頼性を有する高出力半導体レーザダイオードの製造方法を提供すること。【構成】本発明の半導体レーザの製造方法は、基板上にDH構造の半導体層を形成してその上に誘電体層を形成させ、その誘電体層をエッチングして半導体層の所定部分を露出させる。その後、液相エッチング法で前記誘電膜をマスクとして半導体層を選択的にエッチングし、そのまま引き続いて前記エッチングされた部分に液相エピタキシで半導体層を再成長させる。

請求項１：

基板上にDH構造の半導体層を形成する段階と、前記半導体層上に誘電膜を形成する段階と、前記誘電膜を選択的にエッチングして前記半導体層の所定部分を露出させる段階と、液相エッチング法で前記誘電膜をマスクとして前記露出した半導体層を選択的にエッチングし、引き続き前記エッチングされた部分に液相エピタキシで半導体層を再成長させる段階とを有することを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-158888
特開平2-098989
特開昭55-162288

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