特許
J-GLOBAL ID：200903002934375171
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031326
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198522
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、イオン注入時の結晶欠陥等のダメージを、より完全に回復できるイオン注入方法、及び回復方法を実現した半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】 絶縁基板(1-1)上の半導体層(1-2)に、イオン注入法で不純物を注入することにより高濃度不純物層(1-5)を形成する半導体装置の製造方法において、前記不純物の注入(図1(b))とその後の熱処理工程(図1(c))を、複数回に分割して繰り返し行なうことを特徴とし、また、前記不純物のイオン注入時に、1回のイオン注入量が該イオンの臨界ドーズ量を超えないようにすることにより、注入時に生じる欠陥(1-6)をより完全に回復させることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上の半導体層にイオン注入法で不純物を注入することにより高濃度不純物層を形成する半導体装置の製造方法において、前記不純物の注入とその後の熱処理工程を、複数回に分割して繰り返し行ない、かつ、前記不純物のイオン注入時に、1回のイオン注入量が該イオンの臨界ドーズ量を超えないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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