特許
J-GLOBAL ID：200903002940923997
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000707
公開番号（公開出願番号）：特開平9-185551
出願日： 1996年01月08日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 少容量のアドレス変換テーブルを用いて、大容量のフラッシュメモリを制御する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体記憶装置では、n個のセクタを1グループとし、複数のグループを消去単位とするフラッシュメモリと、論理グループ番号LGNに対する物理グループ番号PGNを特定するアドレス変換テーブルと、指定された論理セクタ番号LSNをnで除算し、商を論理グループ番号LGNとし、余りをオフセットアドレスOAとする演算手段と、演算手段により求められた論理グループ番号LGNに対応する物理グループ番号PGNをアドレス変換テーブルから求め、求めた物理グループ番号PGNのオフセットアドレスOAにあるセクタをアクセスの対象とする制御部とを備える。
請求項（抜粋）：
n個のセクタを1グループとし、複数のグループを消去単位とするフラッシュメモリと、論理グループ番号に対する物理グループ番号を特定するアドレス変換テーブルを記憶するRAMと、指定された論理セクタ番号をnで除算し、商を論理グループ番号とし、余りをオフセットアドレスとする除算手段と、除算手段により求められた論理グループ番号に対応する物理グループ番号をアドレス変換テーブルから求め、求めた物理グループ番号のオフセットアドレスにあるセクタをアクセスの対象としてデータの書き込み及び読み出しを行う制御部とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G06F 12/10 E
, G11C 17/00 309 Z
