特許
J-GLOBAL ID：200903002946425131
モノリシック半導体発光アレイ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073633
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326419
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 分離領域を用いることによって、わずかだけ離間された、独立したアドレス可能な半導体レーザのモノリシックアレイの熱的、電気的、及び光学的なクロストークを減少する。【構成】 分離領域は、隣合うレーザ素子12a、12bの間に形成され、そしてエッチングされたメサによってプレーナアクティブ多層導波路上に作られる導波路を装填したリブ40a、40bによって画定される。次に、均一な金属(メタル)コンタクト58が基板に加えられると共に、分割された金属コンタクト50a及び50bがそれぞれのリブに加えられ、レーザ素子の個々のアドレス可能性を提供する。選択的に追加される絶縁層46が構造体に加えられ、向上された電気的及び/又は熱的な分離(絶縁)を提供する。
請求項（抜粋）：
モノリシック半導体発光アレイであって、第1及び第2の表面を有するドープ処理された半導体基板と、前記基板の前記第1表面上にあると共に、前記基板とは反対側の第3表面を有する多層構造体であって、前記基板と同じ導電形を有する第1の半導体拘束層と、反対の導電形を有する第2の半導体拘束層と、を含み、更に、前記第1及び第2の半導体拘束層間に介在すると共に、前記第1及び第2の拘束層よりも小さなバンドギャップを有する光を生成するためのアクティブ半導体層を含む、前記多層構造体と、前記多層構造体の少なくとも1つの層中に形成された複数の横方向の光導波路と、前記第3表面上の複数のアドレス電極であって、各々が前記光導波路の1つと対応される前記アドレス電極と、前記光導波路の内の2つの間にあり、前記2つの光導波路を電気的に分離するための2つの分離領域と、前記基板の前記第2の表面上の共通電極であって、前記アドレス電極の各々に対応される光導波路を介して電流の流れを可能にするように、前記アドレス電極の各々と共働する前記共通電極と、を備えるモノリシック半導体発光アレイ。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
