特許
J-GLOBAL ID：200903002951315794
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272768
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109730
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】多層配線膜を有する半導装置において、配線間のコンタクト抵抗をさげる。【構成】従来平坦な部分で形成していた配線膜間のコンタクト部分を凹凸にし、コンタクト部分の表面積を増加させることによりコンタクト抵抗を低減する。SiH4を用いた熱CVD法により570〜590°Cで凹凸をもった下地配線を形成する【効果】高集積化にともなうコンタクトホールの小型化にも対応できる。
請求項（抜粋）：
配線と配線のコンタクト面を凹凸にすることを特徴とする多層配線をもった半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/205
