特許
J-GLOBAL ID:200903002952787320

モノシリックに実現可能な無線周波数バイアス・チョーク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-220218
公開番号(公開出願番号):特開平6-140862
出願日: 1991年08月30日
公開日(公表日): 1994年05月20日
要約:
【要約】【目的】 モノシリックに実現可能な無線周波数(RF)バイアス・チョークによって別々なオフ・チップ構成部品を最小にし、コスト、空間および信頼性の各利点を高める。【構成】 モノシリックに実現可能な無線周波数(RF)バイアス・チョークは、半導体基板上に直流供給ノード(32)とRF回路バイアス点(12)との間に接続されたインダクタ(20)およびコンデンサ(30)を並列に配置して実現される。
請求項(抜粋):
直流バイアス電流受信用入力端子と、前記直流バイアス電流を無線周波数(RF)信号の導電通路に伝送する出力端子と、前記入力端子と前記出力端子との間に接続されてその間の直流電流を導電させる誘電装置と、前記入力端子と前記出力端子との間に接続され、前記容量装置は前記誘電装置と並列に接続されて並列共振回路を形成する前記容量装置と、前記誘電装置と前記容量装置を前記RF信号の周波数と同じ共振周波数を有するように並列接続させて所定値にし、それによって前記出力端子と前記入力端子との間に前記RF信号の伝送を防止する前記誘電装置のイクダクタンスおよび前記容量装置のキャパシタンスとを備えることを特徴とするモノシリックに実現可能な無線周波数(RF)バイアス・チョーク。
IPC (2件):
H03H 7/01 ,  H03F 3/19

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