特許
J-GLOBAL ID：200903002956697296
半導体レーザ装置ならびにこれを使用した半導体レーザモジュールおよび光ファイバ増幅装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-302288
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072402
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】信頼性に優れ、かつ高出力動作の可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】p型クラッド層、n型クラッド層および活性層を有する半導体レーザ装置において、前記n型クラッド層は、InPおよびGaInAsPを含んだ組成の互いに異なる2以上の層、特に好ましくは超格子構造からなり、かつ、前記n型クラッド層の屈折率は前記p型クラッド層の屈折率より大きいことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p型クラッド層、n型クラッド層および活性層を有する半導体レーザ装置において、前記n型クラッド層は、InPおよびGaInAsPを含んだ組成の互いに異なる2以上の層からなり、かつ、前記n型クラッド層の屈折率は前記p型クラッド層の屈折率より大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5F073AA22
, 5F073AA46
, 5F073AA77
, 5F073AA83
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073AB30
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CB14
, 5F073DA32
, 5F073EA24
, 5F073FA02
, 5F073FA15
, 5F073FA25
