特許
J-GLOBAL ID：200903002958891685

半導体装置のキャパシターの製造方法

発明者：
李 起 正

李 起 正 について

, 
金 東 俊

金 東 俊 について


出願人/特許権者：
現代電子産業株式会社

現代電子産業株式会社 について


代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-397923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210799
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 優秀な電気的特性及び高容量を確保し、不純物を除去して良質の高誘電膜を得るとともに、製造工程を簡素化して生産原価を節減し得る半導体装置のキャパシターの製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成し、前記下部電極の上部に非晶質TaON薄膜を蒸着した後、NH3雰囲気でアニーリングする工程を少なくとも1回以上実施して多層構造のTaON誘電体膜を形成し、前記多層構造のTaON誘電体膜の上部に上部電極を形成することからなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極の上部に非晶質TaON薄膜を蒸着した後、窒素または酸素含有ガス雰囲気でアニーリングする工程を少なくとも1回以上実施して多層構造のTaON誘電体膜を形成する段階と、前記TaON誘電体膜の上部に上部電極を形成する段階とを含んで構成されることを特徴とする半導体装置のキャパシターの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
引用特許：
審査官引用 (4件)
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