特許
J-GLOBAL ID：200903002967011922
半導体圧力センサ及びそれを用いたガスメータ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068919
公開番号（公開出願番号）：特開平8-240498
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 腐食性ガス雰囲気中においても高い信頼性と、長期安定性を有する半導体圧力センサを提供すること【構成】 薄肉のダイアフラム1aが一体に形成されたセンサチップ1を、ステム2に形成した凹所2a内に実装する。凹所の底面には測定圧力をダイアフラムへ供給するための圧力導入孔2bが形成されている。凹所の底面所定位置には耐薬品性、耐ガス性の大きなエポキシ系のゲル3を設け、そのゲル上にセンサチップを配置する。ゲルはガスによって浸蝕されず、ガスを圧力室4内に閉塞する。センサチップと凹所の内壁面との間の空間内には、シリコーン樹脂からなる接着剤5が充填される。すなわち、係る接着剤5によりセンサチップのステムに対する固定を行い、圧力室4の密閉・気密性はゲルにより発揮させている。
請求項（抜粋）：
ダイアフラム付きのセンサチップを接着剤を介して実装基板上に固定するとともに、前記ダイアフラムに対して測定ガス圧力を印加可能としてなる半導体圧力センサにおいて、前記センサチップと前記実装基板との境界部分のうち、測定対象のガスと接触する部分に、前記ガスによって浸蝕されない所定の樹脂を設けてなることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (4件)：
G01L 9/04 101
, G01F 3/22
, H01L 23/00
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01F 3/22 B
, H01L 23/00
, H01L 29/84 B
