特許

J-GLOBAL ID：200903002971860535

ウエーハ研磨方法

発明者： 土屋 敏弘 ,  田中 好一 ,  橋本 浩昌 ,  森田 幸治 ,  高久 勉
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-215242
公開番号（公開出願番号）：特開平9-038849
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：

【要約】【課題】 従来の複数段階以上の研磨法で得られたウエーハと同等の品質を持つウエーハを得られるようにした2段階ウエーハ研磨法を提供する。【解決手段】 1次研磨と仕上研磨とよりなり、その大半は基準相対速度100m/min、高研磨圧力 500g/cm2 で構成し、その終段で相対速度270m/minに急加速を掛け、ついで、時間的遅れを以て行なわれる低研磨圧力100g/cm2 への急速減圧で構成する。仕上研磨では、その大半は基準相対速度100m/min、基準研磨圧力340g/cm2 で構成し、最終段階で相対速度40m/minに減速させる構成とする。

請求項（抜粋）：

所定の加圧圧力のもとに回転するプレートに保持されたシリコンウエーハに対し、所定の相対速度で相対運動する研磨定盤に貼着した研磨布との間に研磨剤を介在させ、複数研磨段階の研磨工程によりメカノケミカル研磨されるウエーハの研磨方法において、前記複数段階の研磨工程を1次研磨と仕上研磨とで構成し、前記1次研磨の終段に、研磨布とウエーハとの間の相対速度の加速と研磨圧力の減圧を同時または段階的に行なう事を特徴とするウエーハ研磨方法