特許
J-GLOBAL ID:200903002974382979

CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-286139
公開番号(公開出願番号):特開2000-109799
出願日: 1998年10月08日
公開日(公表日): 2000年04月18日
要約:
【要約】【課題】廃液処理が容易で、酸化珪素膜等の被研磨面を、傷なく、高速に研磨することが可能で、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比を10以上にするCMP研磨剤、及びこれらCMP研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、生分解性を有する添加剤、及び水からなるCMP研磨剤で、生分解性を有する添加剤はポリアミノ酸及びその誘導体であるCMP研磨剤。酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリー及び生分解性を有する添加剤と水を含む添加液からなるCMP研磨剤。研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、CMP研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する基板の研磨方法。
請求項(抜粋):
酸化セリウム粒子、分散剤、生分解性を有する添加剤及び水を含有するCMP研磨剤。
IPC (5件):
C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622
FI (6件):
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 L ,  C09K 3/14 550 M ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 D
Fターム (6件):
3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058CB04 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許:
審査官引用 (10件)
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