ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-228047
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046094
出願日： 2001年07月27日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】従来、メサエッチングや厚いポリイミド層などがあるため、チップの小型化が進まない上、電極間の距離があり特性が向上できなかった。また製造方法においては、ショットキー接合部分のエッチングのコントロールが困難であった。【解決手段】基板表面にInGaP層を設け、n+型イオン注入領域を設けることにより、メサおよびポリイミド層を設ける必要が無くなり、化合物半導体のプレーナー型ショットキーバリアダイオードが実現できる。電極間距離を近接できるのでチップのシュリンクが実現し、高周波特性も向上する。また、ショットキー電極形成時にはGaAsをエッチングしないので、再現性の良いショットキーバリアダイオードが製造できる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板と、該基板上に設けた平坦な一導電型のエピタキシャル層および該エピタキシャル層を保護する安定した化合物半導体層と、前記化合物半導体層表面に設けた一導電型の高濃度イオン注入領域と、前記高濃度イオン注入領域表面にオーミック接合する第1の電極と、前記エピタキシャル層表面とショットキー接合を形成する第2の電極と、前記第1および第2の電極の取り出しとなる金属層とを具備することを特徴とするショットキーバリアダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/872 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 29/48 H , H01L 21/306 R , H01L 21/306 J

Fターム (24件)：

4M104AA05 , 4M104BB06 , 4M104BB11 , 4M104BB15 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD17 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104EE08 , 4M104EE17 , 4M104EE20 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104GG03 , 4M104HH14 , 5F043DD13 , 5F043EE07 , 5F043EE08 , 5F043EE09

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