特許

J-GLOBAL ID：200903002974880391

半導体装置の製造方法

発明者： 平尾 秀司 ,  吉田 岳人 ,  矢野 航作
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-212734
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193025
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 真空チャンバー内に半導体基板を連続的に供給して該半導体基板上にオーミック性で且つ低抵抗なコンタクト部を形成する。【構成】 チタンよりなるターゲット2が配置された真空チャンバー1内にアルゴンガスを供給してシリコン基板3上にチタン膜5を堆積した後、真空チャンバー1内に窒素が混合されたアルゴンガスを供給してチタン膜5の上に窒化チタン膜6を堆積する。その後、真空チャンバー1内に再びアルゴンガスを供給して、ターゲット2の表面に付着した窒素を除去すると共に窒化チタン膜6の上にチタンと窒素との混合層9を堆積する。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に金属よりなるターゲットが配置されたスパッタリング装置の前記チャンバー内にシリコンよりなる半導体基板を連続的に供給して、前記半導体基板上に、該半導体基板と該半導体基板上に形成される金属配線層とを電気的に接続するコンタクト部を形成する半導体装置の製造方法であって、前記コンタクト部を形成する工程は、前記チャンバー内に第1の物質よりなるスパッタリングガスを供給して、前記半導体基板上に、前記ターゲットを構成する金属よりなり前記半導体基板に対して低抵抗である第1の金属膜を堆積する工程と、前記チャンバー内に前記第1の物質と該第1の物質とは異なる第2の物質とよりなるスパッタリングガスを供給して、前記第1の金属膜の上に前記ターゲットを構成する金属と前記第2の物質との化合物よりなり前記半導体基板と前記金属配線層との反応を防止する第2の金属膜を堆積する工程と、前記チャンバー内に前記第1の物質よりなるスパッタリングガスを供給して、前記ターゲットの表面に付着した前記第2の物質を除去すると共に前記第2の金属膜の上に前記ターゲットを構成する金属と前記第2の物質との混合物よりなる第3の金属膜を堆積する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/40

FI (2件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C