特許

J-GLOBAL ID：200903002984938860

シリコン自然酸化膜の「その場」除去方法及びその装置

発明者： 伊藤 博巳 ,  山口 偉久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-111591
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308064
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、成膜等の処理直前のシリコン基板表面に存在する自然酸化膜を低温で加熱して「その場」除去する方法及びその装置を得ることを目的とする。【構成】 除去室1内に極微量のシラン類ガスを添加した水素ガスを供給し、シリコン基板3を基板支持台2上に載置する。光入射窓7を介して、光源6からシラン類ガスを光化学分解する波長の光を照射しながら、シリコン基板3を加熱処理することにより、従来に比べ低温でシリコン基板3の自然酸化膜を「その場」除去できる。この時、光入射窓7をシリコン基板3の加熱処理温度と同程度以上に加熱することにより、光入射窓7に膜堆積が起こるのを防止する。

請求項（抜粋）：

極微量のシラン類ガスを添加した水素雰囲気中で、このシラン類ガスを光化学分解する波長の光を照射しながら、以後の処理直前のシリコン基板を加熱処理することを特徴とするシリコン自然酸化膜の「その場」除去方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/26