特許
J-GLOBAL ID：200903002989299920
LDMOSによるブートストラップ・キャパシタンスの充電
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-143765
公開番号（公開出願番号）：特開平9-065571
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 低消費と、集積デバイスの破壊に高い免疫性を保証する集積LDMOSトランジスタを使用したブ-トストラップ・キャパシタンスの充電回路を提供する。【解決手段】 過渡期間中集積LDMOS構造の寄生トランジスタのON防止用のデバイスを有する。本デバイスは、LDMOSトランジスタ構造のソ-スと本体間に直列に連結された複数の直接バイアス接合D1,..,Dnと本体と接地間に連結された電流源とから成る。また、スイッチINT1がソ-スと複数の接合の第1接合D1間に設置され、また制限抵抗Rが本体と電流源間に連結される。スイッチは、ブ-トストラップ・キャパシタンスCbootの充電フェ-ズ期間中開のまま維持され、キャパシタンスの充電電圧がプリセットしきい値到達時に閉じる。さらに、本体電圧は、制限抵抗での電圧降下に応答し制御段階T1,R1を伴う充電路T2を制御してソ-ス電圧VS+Vbeを越えるのを阻止する。
請求項（抜粋）：
過渡の間集積LDMOS構造の寄生PNPトランジスタをONにするのを防ぐための回路デバイスを含み、該回路デバイスは,集積LDMOSトランジスタ構造のソ-スノ-ドと本体ノ-ドとの間に連結されたn個の直接バイアス接合(D1,D2,..,Dn)と、少なくとも前記本体ノ-ドと接地ノ-ドとの間に連結され接地電位に結合された電流源(GEN)とから成る集積LDMOSトランジスタを使用するブ-トストラップ・キャパシタンス(Cboot)のための充電回路であって、前記ソ-スノ-ドと前記複数の直接バイアス接合の第1接合(D1)との間に設置された少なくとも1つの第1スイッチ(INT1)と前記本体ノ-ドと前記電流源との間に結合された制限抵抗(R)とを備え、前記第1スイッチ(INT1)は、ブ-トストラップ・キャパシタンス(Cboot)の充電フェ-ズの間じゅう開いたままに維持され、またブ-トストラップ・キャパシタンスの充電電圧がプリセットしきい値に達した時に閉じられることを特徴とするブ-トストラップ・キャパシタンスのための充電回路。
IPC (4件)：
H02J 1/00 306
, G01R 19/165
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
H02J 1/00 306 L
, G01R 19/165 L
, H01L 27/08 102 J
