特許

J-GLOBAL ID：200903002998623993

半導体素子及びその製造方法、並びにヒートシンク

発明者： 山口 望
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325921
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163467
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 湾曲したレーザバーがヒートシンクとの接合によってダメージを受けることなく平坦化されるような半導体素子及びその製造方法、並びにシートシンクを提供すること。【解決手段】 熱膨張率の高い銅3と熱膨張率の低いタングステン2とを用いて熱膨張率の異なる材料の積層体でヒートシンク1を構成し、このヒートシンク1を湾曲した半導体素子本体5の上下に配してダイボンドする。これにより、ダイボンド時の加熱によってヒートシンク1が半導体素子本体5と同様に湾曲して接合され、冷却後はヒートシンク1の形状復元に伴い半導体素子本体5も平坦に矯正される。

請求項（抜粋）：

一方の面側に湾曲した半導体素子本体とヒートシンクとが接合され、この接合状態では前記半導体素子本体の湾曲が矯正されている半導体素子において、前記ヒートシンクが熱膨張率の異なる複数の材料層で構成され、温度変化に伴う前記ヒートシンクの形状変化によって前記半導体素子本体の前記矯正がなされていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/36 ,  H01S 3/043

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/36 B ,  H01S 3/04 S