特許

J-GLOBAL ID：200903003000778472

受光素子およびその製造方法

発明者： 廣田 幸弘 ,  高梨 良文 ,  松岡 裕
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-144420
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340481
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 MSM構造の受光素子において、暗電流を抑制した上で、受光効率および応答速度をより向上させる。【解決手段】 光吸収層103上に、Ti/Auからなる陰電極105および陽電極106とを交互に配置し、陰電極105は、p形のInGaAsからなる疑似障壁層104を介して光吸収層103上に形成する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性の半導体からなる基板上に形成され、光を吸収して電子正孔対を生成する半導体からなる光吸収層と、金属材料から構成されて前記光吸収層上に形成された陽電極と、金属材料から構成されて前記陽電極とは離間して前記光吸収層上に形成された陰電極とを備えた受光素子において、前記陽電極と前記光吸収層との間には正孔に対して障壁が形成され、前記陰電極と前記光吸収層との間には電子に対して障壁が形成されていることを特徴とする受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/0248 ,  H01L 31/0264

FI (2件)：

H01L 31/08 K ,  H01L 31/08 L