特許

J-GLOBAL ID：200903003004328951

配線形成方法

発明者： 井上 裕章 ,  奥山 修一 ,  金山 真 ,  松本 守治
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所 ,  荏原ユージライト株式会社
代理人 (4件)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-272776
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032984
出願日： 2005年09月20日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 高アスペスト比の微細配線であっても、シード層を確実に補強して、ボイドのない健全な配線を形成できるようにする。【解決手段】 配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、シード層を第1のめっき液による無電解めっきによって補強し、しかる後、第2のめっき液によるパルスまたはPRパルスを用いた電解めっきによってシード層を更に補強し、第3のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込む。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、 前記シード層を第1のめっき液による無電解めっきによって補強し、 しかる後、第2のめっき液によるパルスまたはPRパルスを用いた電解めっきによって前記シード層を更に補強し、 第3のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込むことを特徴とする配線形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/288 ,  C23C 18/16 ,  C25D 5/10 ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12

FI (5件)：

H01L21/288 E ,  C23C18/16 B ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D7/12

Fターム (30件)：

4K022AA05 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022BA01 ,  4K022BA08 ,  4K022BA35 ,  4K022DA01 ,  4K022DB19 ,  4K022EA02 ,  4K022EA04 ,  4K024AA09 ,  4K024AB04 ,  4K024AB15 ,  4K024AB17 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA01 ,  4K024CA03 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024CA07 ,  4K024CB01 ,  4K024CB02 ,  4K024CB03 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20